5g技术不仅需要超带宽

2020-02-08 04:47

第三代半导体是以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料。“第一代、第二代半导体技术在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升已经逼近材料的物理极限,难以支撑新一代信息技术的可持续发展,难以应对能源与环境面临的严峻挑战,难以满足高新技术及其产业发展,迫切需要发展新一代半导体技术。”中国科学院院士、南京大学教授郑有炓在发布会上说。

吴玲表示,我国第三代半导体创新发展的时机已经成熟,处于重要窗口期。但目前仍面临多重困境:创新链不通,缺乏有能力落实全链条设计、一体化实施的牵头主体;缺乏体制机制创新的、开放的公共研发、服务及产业化中试平台;核心材料、器件原始创新能力薄弱。

以通信产业为例,郑有炓认为,氮化镓技术正助力5g移动通信在全球加速奔跑。“5g移动通信将从人与人通信拓展到万物互联。预计2025年全球将产生1000亿的连接。”郑有炓说,5g技术不仅需要超带宽,更需要高速接入,低接入时延,低功耗和高可靠性以支持海量设备的互联。氮化镓毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。

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